台积电40nm以下晶圆代工份额将高达86%集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！

　　集微网消息， IC Insights 19 日发表研究报告指出，2017 年专业晶圆代工市场预料将成长 7%，而 40nm以下特征尺寸装置的销售额有望年增 18% 至 215 亿美元， 是最主要的成长动能。

　　报告称，40nm以上的 IC 晶圆代工市场，2017 年虽将有 60% 的份额，但预估销售额仅会略增 2 亿美元。 相较之下，40nm以下的晶圆代工销售额，2017 年却有望大增 33 亿美元。

　　台积电的科技在各大晶圆代工巨擘中，仍是领导者。 2017 年台积电估计会有 58% 的营收来自 40nm以下制程，比例是格罗方德（GlobalFoundries）的两倍以上，更是联电的 3 倍之多。 整体而言，2017 年台积电在 40nm以下晶圆代工市场的占有率，将高达 86%。

　　IC Insights 特别举例KaiYun官方网站，直指台积电来自 40nm以下制程的美元计价营收，已高达 185 亿美元，是 GlobalFoundries、联电和中芯国际（SMIC）合并营收（27 亿美元）的近 7 倍。 事实上，台积电 2017 年有 10% 的营收将来自 10nm制程科技。

　　台积电推进先进制程马不停蹄，7纳米将接续10纳米于明年下半年大量产出，抢得技术领先之优势。合作伙伴IP厂商新思科技宣布成功完成台积公司7纳米FinFET制程IP组合的投片。

　　与16FF+制程相比，台积电公司7纳米制程能让设计人员降低功耗达60%或提升35%的效能。藉由提供针对台积公司最新7纳米制程的IP组合，新思科技协助设计人员达到行动、车用及高效能运算应用在功耗及效能上的要求。

　　上市时程方面，用于台积电公司7纳米制程的DesignWare基础及介面IP组合已经上市；STAR存储器系统解决方案已可用于所有台积公司制程技术。

　　该测试芯片旨在提供概念验证的硅芯片，展现CCIX的各项功能，证明多核心高效能Arm CPU能透过互连架构和芯片外的FPGA加速器同步运作。

　　2017年9月19日，Intel在中国举办“精尖制造日”发布会，在全球首次展示了Arm的10纳米测试芯片晶圆。一年前，Intel晶圆代工部门宣布与Arm达成合作，基于Intel 10nm制程工艺开发Arm芯片及应用。

　　如今，Intel将这一成果在中国展示，这里有全球25%的无晶园芯片企业，是Intel开放代工业务之后的重要增长空间。

　　晶圆制造几乎是全球资金最密集、技术最尖端的领域。除了Intel、三星等少数芯片公司可以自建晶圆厂之外，包括芯片巨头高通在内的诸多芯片公司均难以负荷独立建设晶圆厂的成本。

　　也正是因此，包括高通、苹果、联发科、华为、英伟达等企业大多把芯片设计方案交由台积电、联电、格罗方格等晶圆代工厂生产。台积电是全球最大的晶圆代工厂，根据知名分析机构Gartner统计，2016年全球晶圆代工市场规模约530亿美元，台积电以294.3亿美元收入占比56%。

　　不过，为了保持摩尔定律，使得芯片内晶体管数目保持每两年提升一倍的效率，晶圆制程生产线的成本已经攀升至天文数字，在14nm工艺之后，能够仍然追随摩尔定律的企业只剩下台积电、Intel、三星三大巨头。三星进入代工业务晚于台积电，目前年收入约48亿美元，而Intel则从去年才开始正式开放代工业务，三大巨头开始角逐于晶圆代工的高端市场。

　　2017年7月4日，三星公司发布声明，称将耗费超过180亿美元投资多个半导体生产线。今年的二季度，得益于存储芯片大幅涨价，三星半导体业务收入暴涨47%，首次超越Intel成为全球最大的半导体公司。此次180亿美元投资仍将主要投资存储芯片业务以扩大产能。

　　同时，180亿美元中，有超过50亿美元投资到晶圆代工厂。2017年5月，三星已经正式把隶属于系统LSI部门的晶圆代工业务独立运营。在随后的三星晶圆代工论坛上，三星相关负责人还表示：“今年的目标是到年底，将晶圆代工的市占率从第四名提升到第二名。”此外，三星还计划在五年内将全球晶圆代工业务市场份额提升至25%。

　　根据IC insights数据，近年来三星一直是半导体公司中资本支出最高的企业，2015、2016年的资本支出分别为130亿美元、110亿美元，且预计2017年为125亿美元。

　　与此同时，台积电财报显示，2012年以来，台积电资本支出分别为84.76、96.51、90.97、78.28、101.28亿美元，累计452.41亿美元，年均90.5亿美元。从目前来看，2017年台积电的资本支出仍将进一步增长，2017年上半年，台积电资本开支已达67.6亿美元，同比2016年上半年的34.1亿美元增长98%。为了进一步提升10nm产能，研发7nm、5nm工艺，其资本支出迅速增长。

　　同样，Intel财报显示，2012年至今，Intel每年资本支出分别为110.27、107.11、101.05、73.26、96.25亿美元，累计487.94亿美元，年均98亿美元。根据预算，2017年Intel资本支出约120亿美元。Intel执行副总裁Stacy Smith介绍，投资一个现代化的晶圆制造厂的成本已经超过100亿美元。

　　资本竞赛愈演愈烈，由于整个IT产业链都在追随摩尔定律，每一代最新工艺可能在几年之后就被淘汰。以Intel为例，2010年，Intel率先推出32nm制程工艺，当时只有Intel自己的酷睿芯片使用了32nm工艺。但如今，在Intel的晶圆厂中，32nm已经频临淘汰。20nm、14nm、10nm制程是Intel主打的产品。

　　每年百亿美元的游戏，如今只剩下三个玩家，诸如格罗方格、联电等公司，年收入均低于50亿美元，已经难以角逐高端市场。

　　虽然目前市场份额占比极低，但Intel对接下来的竞争充满信心，Intel公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith称：“我们领先竞争对手至少3年。”

　　通过公开数据对比，Intel 10nm制程生产的芯片在晶体管密度、能耗、金属间距等多项指标上遥遥领先于三星、台积电的10nm工艺，Stacy Smith表示：“友商的10nm，其实只相当于Intel的14nm。”三星、台积电在2016年开始量产10nm芯片，而Intel在2014年初发布了14nm的产品。

　　发布会上，全球第三大通信芯片生产商展讯通信CEO李力游作为Intel目前公开的为数不多的客户发言，展讯有两款14nm的4G手机芯片在Intel代工，李力游认为，采用Intel制程使其芯片性能提升了约50%。

　　事实上，Intel最早在2010年成立ICF部门经营晶圆代工业务，但起初，Intel要求客户必须使用自己的X86架构——Intel希望借助遥遥领先的制程工艺扩大X86架构的影响力。当时，晶圆代工客户普遍是使用Arm架构的移动通信企业，这一要求将大多数客户拒之门外。在台积电客户结构中，移动通信客户占比超过60%。2016年，Intel通过与Arm的合作正式开放代工，放弃了此前的强制要求。

　　需要指出，近几年，先进制程工艺的产能始终供不应求。无论是三星还是台积电，均把最新产能优先提供给高通、苹果两大客户。在台积电，这两大客户贡献收入占比超过了30%。即便是华为也经常要排队等待，而更多的客户往往会等待二者产能充足之后才会进行最新工艺芯片的设计。

　　“Intel的制程很先进，肯定会有不少公司尝试”，多位国内芯片设计企业人士告诉记者：“不过，Intel也比较贵。但Intel的入局肯定会给其他企业带来较大的压力，降低行业价格。”

　　目前，晶圆代工行业毛利润较高。2016年，台积电毛利率首次突破50%，达到50.1%。2002年以来，台积电的收入、利润、市值均增长了10倍以上。

　　而对Intel而言，PC市场近年来已经持续5年下滑，也影响到了公司的业绩。根据Garnter数据，2017年第二季度全球PC出货量同比下降4.3%，至6110万台，创下自2007年以来的最低纪录。受此影响，Intel PC芯片收入也在持续下滑，最新工艺晶圆厂产能过剩，Intel也迫切需要代工业务来扩大收入。不过，近年来Intel一直维持在60%以上的毛利率，三巨头之间是否会引发价格竞争，犹未可知。21世纪经济报道

　　备受电子信息行业关注的格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目又有新进展。9月20日，记者从成都高新区获悉，位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂项目近日举行芯片厂房钢桁架吊装仪式，芯片厂房将在10月底前封顶KaiYun官方网站。

　　今年2月，全球第二大晶圆代工厂格罗方德半导体股份有限公司在成都高新区启动累计投资超过100亿美元的12英寸晶圆制造基地项目（即代号为“Fab11”的格罗方德晶圆代工厂），并发布公司在中国市场的全新中文名称“格芯”。5月，格罗方德又宣布将与成都市合作，共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划，在成都建立一个世界级的FD-SOI生态系统。

　　短短数月，格罗方德12英寸晶圆成都制造基地项目以及FD-SOI生态圈建设快速推进，实现“加速度”。格罗方德Fab11项目相关负责人透露，目前，FD-SOI生态圈的建设已逐步展开，已有数家中国客户通过产业生态圈找到格罗方德，开展了基于22纳米FD-SOI工艺的产品设计和试生产。

　　格罗方德Fab11项目的持续推进，将对成都高新区集成电路产业的发展产生强劲推力。成都高新区电子信息产业局相关负责人表示，成都高新区电子信息产业已形成集群优势，今年 1-7月，实现产值1304.9亿元，同比增长20.6%，增加值增长49.9%。

　　7月，成都高新区出台《关于支持电子信息产业发展的若干政策》，设500亿元产业基金，重点支持集成电路、新型显示、信息终端、软件和信息技术服务四大特色优势领域以及人工智能等新兴领域发展，加快建设具有世界影响力的电子信息产业集群。

　　40余万平方米的工地上，17台塔基同时施工，施工人员熟练地操作着设备，管理人员及时跟进现场进度、调度安排……位于成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂一期项目建设现场，4800余人奋战其间。开工至今历时近200天，安全工时430万小时，这些数字还在不断刷新中。

　　按照计划，累计投资达百亿美金的格罗方德Fab11项目将分为两期建设。一期为主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线年年底投产；二期为格罗方德最新的22FDX?22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线年四季度投产。

　　“芯片厂房将在10月底前封顶KaiYun官方网站。” 格罗方德Fab11项目相关负责人告诉记者，根据前期规划，除了芯片厂房外，施工项目还包括中央动力厂房、厂务设施罐区、办公用房等区域。工程项目成员将时刻保持良好工作状态，确保2018年3月底实现生产设备顺利入场并完成装机和工艺调试，以便明年年底顺利投产。

　　据介绍，格罗方德Fab11项目内部将采用世界一流的自动化技术，建设自动化物料运送系统、厂务管理系统、数据分析系统等，打造智能电子厂房，实现全自动化晶圆制造。为实现晶圆生产对洁净环境的高要求，格罗方德Fab11项目还将打造6.5万平方米的晶圆生产洁净室，洁净等级为100级，局部房间达到1级标准。

　　5月，格罗方德宣布与成都市合作，共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划。双方将用6年时间，共建世界级FD-SOI生态系统，助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。这也恰好呼应了成都国家中心城市产业发展大会中提出的“大力开展以跨国公司为核心的产业生态链生态圈建设，吸引协作配套企业汇聚成都”的产业规划。

　　根据FD-SOI生态圈行动计划，格罗方德将在成都建立多个研发中心，与高校合作开展研究项目，吸引更多顶尖半导体公司落户成都。格罗方德Fab11项目相关负责人透露，目前，FD-SOI生态圈的建设已逐渐展开，已有数家中国客户通过产业生态圈找到格罗方德，开展了基于22纳米的FD-SOI工艺的产品设计和试生产。

　　格罗方德“22FDX”工艺采用22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)晶体管架构，为无线的、使用电池供电的智能系统提供业界最佳的性能、功耗和面积组合。格罗方德在成都高新区建设的全球首条22纳米FD-SOI 12英寸晶圆代工生产线，产品将广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域。

　　“格罗方德Fab11项目建成后将成为世界上标准最高、体量最大的晶圆代工厂之一，将对成都高新区集成电路产业的发展产生强劲推力。”成都高新区电子信息产业局相关负责人说，目前，成都高新区电子信息产业已形成集群优势，除了格罗方德，这里还聚集有英特尔、戴尔、联想、德州仪器、京东方、富士康、华为等一批世界知名企业。今年 1-7月，成都高新区电子信息产业产值达1304.9亿元，同比增长20.6%，增加值增长49.9%。“成都高新区将以格罗方德12英寸晶圆生产线为龙头，大力打造‘集成电路产业生态圈’，成为全球最大的FDX技术研发和制造基地。” 四川新闻网

　　台积电为了打赢7纳米制程之战，在各方面积极布局，日前合作伙伴新思科技(Synopsys)针对7纳米制程成功完成DesignWare基础和介面PHY IP组合的投片，与16FF+制程相比，台积电的7纳米制程能降低功耗达60%，并提升35%的效能。台积电的7纳米制程是非常重要的一个世代，不同于10纳米制程偏向过度性质，7纳米不但是长寿制程，且瞄准未来潜力无限的高速运算(HPC)市场，且会是和三星电子(Samsung Electronics)一较高下的一个技术里程碑。新思表示，针对台积公司7纳米制程技术已成功完成的DesignWare基础及介面PHY IP组合的投片包括逻辑库、嵌入式存储器、嵌入式测试及修复、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCIE 4.0/3.1、以太网络和SATA 6G。而其他DesignWare IP包括LPDDR4x、HBM2、MIPI-PHY预计于2017年完成投片。再者，新思指出，用于台积电7纳米制程的DesignWare基础及介面IP组合已经问世，STAR存储器系统解决方案已可用于所有台积电的制程技术。新思表示，台积电的7纳米制程能让设计人员降低功耗达60%，以及提升35%效能，借由提供针对台积电最新7纳米制程的IP组合，新思可达到移动装置、车用电子、高效运算应用在功耗及效能上的要求。台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示，针对台积电的7纳米制程上，新思成功完成DesignWare基础及介面IP组合的投片，显示新思在IP领域的领导地位，其开发的IP能协助双方客户达到在功耗、效能、芯片面积的提升。DIGITIMES